蕞近看了不少 LED芯片相关的资料，简单介绍下 LED 芯片的结构和制造流程，帮助理解 LED 相关企业的发展情况以及发展前景。
LED 芯片一共包含两部分主要内容，一个是 LED 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家（GaN）缓冲层；一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 PN 电极层。所以 LED 芯片一共涉及三个生产工序：发光外延片生长、芯片生长和制造、芯片封装。
在上面三个工序中，外延片的生长技术含量蕞高、芯片制造次之、而封装又次之。
一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
在现阶段白光LED首要经过三种方法完成：
1、选用蓝光LED芯片和荧光粉，由蓝光和黄光两色互补得到白光或用蓝光LED芯片合作赤色和绿色荧光粉，由芯片宣布的蓝光、荧光粉宣布的红光和绿光三色混合取得白光;
2、使用紫外LED芯片宣布的近紫外激起三基色荧光粉得到白光。
3、选用红、绿、蓝三色LED组合发光即多芯片白光LED;
当前使用广泛的是第二种方法，选用蓝光LED芯片和荧光粉，互补得到白光。因而，此种芯片进步LED的流明功率，决议于蓝光芯片的初始光通量及光保持率。
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