外延片的生长工艺有很多流程，需要很多高菁尖设备，生长出来的外延片直接决定了 LED 的波长、亮度、正向电压等主要的光电参数。外延片的生长基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石、SiC 碳化硅、Si 硅）上，气态物质 In Ga Al P(铟 家 铝 磷) 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

目前主要的外延片衬底材料有蓝宝石、碳化硅和硅。不同的衬底材料有不同的光电特性，价格差别也很大。外延片制造过程如下：

先把晶棒切片，切片需要注意晶面的结晶方向、晶片的厚度、晶面的斜度和曲度；切片后为了防止晶片边缘碎裂、防止热应力集中以及增加外延层的平坦度 需要把晶边磨圆，然后还需要蚀刻(shí kè)，蚀刻的目的在于把前面机械加工所造成的损伤给去掉，蚀刻需要用到晶片研磨机；下一步需要将晶片置于炉管中施以惰性气体加热30分钟至一小时，再在空气中快速冷却，可以将所有氧杂质去除，这样晶片的电性（阻值）仅由载流子杂质来控制，从而稳定电阻，这一步需要使用到高温快速热处理设备；然后使用抛光机再给晶片抛光；再然后就是使用晶片清洗机来清洗晶片，用RCA溶液（双i氧水＋氨水或又氧水＋盐酸），将前面工序所形成的污染清除，蕞后在无尘环境中严格检查晶片表面的洁净度、平坦度确保符合规格要求，蕞后包装到特殊的容器中保存。

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视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极(P极，N极)，接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀)，制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试：

1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

2、晶圆切割成芯片后，100%的目检(VI/VC)，操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。

3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、蕞后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上蕞多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。

　近几年，LED电子显示屏市场十分，带动着整个LED显示屏行业进入到高速增长阶段。除了在户外被大量应用的广告屏、演艺屏、交通诱导屏等之外，应用于室内LED显示屏也是一个潜力巨大的市场，其中包括室内监控大屏幕以及室内电子幕墙等。但从技术层面来看，实际上，在过去10年左右的时间里，大多数厂商推出的LED屏在基本的系统架构上并没有太大的变化，只是针对某些技术指标作一定程度的改善和修正。

　　同时，在产品的普及推广上也相对滞后，虽然早在几年前市场上就已有带PWM(脉冲宽度调制)功能的显示屏驱动IC产品推出，且市场人士也均已认同PWM功能具有高刷新率、电流恒定等优势，但由于价格等因素，至今为止这类显示屏驱动IC的市场份额仍旧不高，市场上应用量较大的还是以基本款居多(如聚积5024/26等)，产品主要应用在一些较为注重品质的LED屏租赁市场中。

　　然而，伴随着目前LED显示屏市场的迅猛发展，越来越多的用户开始对LED屏提出了从视觉效果、传输方式、显示方式，到播放方式等一系列复杂的要求，这也使得LED屏产品面临一次全新的技术革新机遇，而作为整体显示屏系统的“大脑”——LED驱动IC将起到致关重要的作用。