蕞近看了不少 LED芯片相关的资料，简单介绍下 LED 芯片的结构和制造流程，帮助理解 LED 相关企业的发展情况以及发展前景。
LED 芯片一共包含两部分主要内容，一个是 LED 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家（GaN）缓冲层；一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 PN 电极层。所以 LED 芯片一共涉及三个生产工序：发光外延片生长、芯片生长和制造、芯片封装。
在上面三个工序中，外延片的生长技术含量蕞高、芯片制造次之、而封装又次之。
LED芯片材料磊晶种类
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
LED模组安装注意事项：
1.没有经过防水处理的LED模组，安装在吸塑字或者箱体时，应预防雨水进入。
2.LED模组的间距可根据亮度和模组大小等实际情况进行调整，每平方的数量一般在50-100组之间。在排布LED模组的时候，应注意发光的均匀和亮度需求;模组与字体边的距离一般为2-5公分，模组与模组间的垂直和水平距离建议为2-6CM。LED模组安装时不可推，挤压模组上的器件，以免造成器件的破坏，里面的连接线应该玻璃胶固定在地板上，以免遮光。
3.LED模组与发光体表面的距离要控制好，这样才能保证光的均匀性和亮度，所以灯箱的厚度也很重要。
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