一般来说,LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型,LED芯片制造不对其产甞核本性改变,但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良,欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后,如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺,对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后,芯片边缘会残留较多的碎屑粉末,这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电,甚至会有击穿现象。
另外,如果芯片表面光刻胶剥离不干净,将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
LED芯片的分类有哪些呢?
TS芯片定义和特点
定义:transparent structure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专i利产品。
特点:
(1)芯片工艺制作复杂,远高于AS LED。
(2)信赖性卓i越。
(3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。
(4)应用广泛。
AS芯片定义与特点
定义:Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。
特点:
(1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。
(2)信赖性优良。
(3)应用广泛。
LED模组安装注意事项:
1.没有经过防水处理的LED模组,安装在吸塑字或者箱体时,应预防雨水进入。
2.LED模组的间距可根据亮度和模组大小等实际情况进行调整,每平方的数量一般在50-100组之间。在排布LED模组的时候,应注意发光的均匀和亮度需求;模组与字体边的距离一般为2-5公分,模组与模组间的垂直和水平距离建议为2-6CM。LED模组安装时不可推,挤压模组上的器件,以免造成器件的破坏,里面的连接线应该玻璃胶固定在地板上,以免遮光。
3.LED模组与发光体表面的距离要控制好,这样才能保证光的均匀性和亮度,所以灯箱的厚度也很重要。