我们平常所见到的电子芯片，比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等，跟LED芯片主要有什么区别？LED芯片是不是只是把一大堆能发光的二极管布在晶圆上呢？LED芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢？
蕞大的不同是：1，材料不一样，前者为硅基，后者为三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者对材料缺陷率要求更高。
电子芯片长在硅衬底上，中间各种光刻、刻蚀、掺杂、长膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料为主；而LED长在蓝宝石（Al2O3）、SiC或Si衬底上，缓冲层后长成后，再长N型GaN层和P型GaN层，中间一层多量i子阱发光层。电流经过PN结时因为电势能的变化将多余的能量以光的形式散发出去，不同的电势能差则光的能量也有不同，表现就是不同的发光颜色（如蓝光、红光LED，红光能量低技术简单，很多年以前就出来了；蓝光LED能量高，难度大。蓝光LED激发黄色荧光粉可产生白光）
LED芯片的分类有哪些呢？
MB芯片定义与特点
定义：Metal Bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。
特点：
(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K。
(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。
(4)底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
(5)尺寸可加大，应用于High power领域，eg:42mil MB。
LED电子显示屏在生活中的应用越来越广，对于大屏显示的技术也各有提高，目前，液晶显示凭其出色的显示效果被十分看好，但是在大屏显示中的拼接技术还没有达到无缝的水平，而LED小间距成功弥补了这一缺点，成功兴起。在液晶大屏无缝拼接技术成熟的时期，LED电子显示屏一跃而起，强占大屏显示市场。 LED电子显示屏技术问题解决
首先是高光效：对于led电子显示屏的光效可以说是节能效果重要指标，目前我国在光效效果上还有待加强，要真正要做到高光效，要从产业链各个环节上解决相关的技术问题，那么如何实现高光效呢？本文将具体争对外延、芯片，封装，灯具等几个环节要解决的技术问题探讨。
1.提高内效率和外效率。
2.提高封装出光效率及降低结温。
3.提高灯具的取光效率。
其次是从高显色性来看：led电子显示屏光色质量很多，包括色温、显色性、光色保真度、光色自然度、色调识别度、视觉舒适度等。这里我们目前只讨论解决色温和显色性问题。制作高显色性led显示屏光源，会损失较多的光效，所以在设计时要照顾这两方面因素。当然要提高高显色性还必须考虑RGB三基色组合来实现。这边我也其三种方法：
1.多基色荧光粉。
2.RGB多芯片组合。
3.荧光粉加芯片。
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