1、深紫外LED灯珠发光机理：PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒降低，P区和N区的大都载流子向对方分散。因为电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会呈现大量电子向P区分散，构成对P区少量载流子的写入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的方法开释出去。这即是PN结发光的原理。

2、深紫外LED灯珠发光功率：通常称为组件的外部量i子功率，其为组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积。所谓组件的内部量i子功率，本来即是组件自身的电光转换功率，首要与组件自身的特性（如组件资料的能带、缺点、杂质）、组件的垒晶构成及构造等相关。而组件的取出功率则指的是组件内部产生的光子，在通过组件自身的吸收、折射、反射后，实践在组件外部可测量到的光子数目。因而，对于取出功率的因素包含了组件资料自身的吸收、组件的几许构造、组件及封装资料的折射率差及组件构造的散射特性等。而组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积，即是整个组件的发光作用，也即是组件的外部量i子功率。早期组件开展会集在进步其内部量i子功率，首要办法是通过进步垒晶的质量及改动垒晶的构造，使电能不易转换成热能，进而直接进步深紫外LED灯珠的发光功率，然后可获得70%摆布的理论内部量i子功率，可是这么的内部量i子功率几乎现已挨近理论上的极限。

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视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

LED传统运用的增加空间日益受限，深紫外LED灯珠给业界带来充满希望的幻想空间。有的人以高瞻远瞩的预见、舍我其谁的勇气活跃布局，有的人畏缩不前、举步不前，另一些人则以半信半疑的眼光张望犹疑。

不行否认，深紫外LED灯珠还面临着不少的瓶颈疑问。一般情况下，LED芯片封装时都用环氧树脂进行灌胶填充，可是环氧树脂在紫外光中呈现功用恶化，那么，怎么开发由紫外光鼓励的荧光资料以及不会因这种光而呈现功用恶化的封装资料。此外，耐热抗紫外封装资料的研讨、紫外LED出光功率的提高、深紫外LED的器材技能和封装、深紫外LED的运用模块研制等等，这些都是深紫外LED灯珠有待处理的技能疑问。

可是，不用怀疑，深紫外LED灯珠必将使LED工业，乃至咱们的科技水平缓健康日子发生颠覆性的革新。Yole数据显现深紫外LED灯珠商场蕞近七八年来一直保持着十分高速的增加，从2008年的2,000万美元增加至2014年的9,000万美元，复合年均增加率高达28.5%。深紫外LED灯珠关于传统UV的置换存在无穷的商场空间。LEDinside标明，2014年全体UV商场规划到达 8.15亿美元，其间深紫外LED灯珠产值为1.22亿美元，占全体UV商场比率仅15%。

给我一个支点，我将撬动地球。深紫外LED灯珠商场的大规划起量相同需要一个支点。幸亏的是，我们现已意识到这个支点，这个支点在我们的前方显得越来越明晰，我们越来越有满意的才能把握这个支点。

未来UVC 深紫外LED灯珠市场被划分为两部分，一部分是面向通用照明的可见光LED，而另一类则是以高科技为特色的深紫外LED。而深紫外LED市场目前还是一片蓝海，其广阔的市场前景，成为继半导体照明LED之后，全球LED研究与投资的新热点。

半导体产业技术研究院的研究人员从材料和器件结构等多方面对紫外LED开展了较系统深入的技术研发。在此前AlGaN基紫外光电材料及器件取得的系列进展基础上，近日研究人员设计了多种新型载流子收集层结构，并引入深紫外LED器件中，结果表明具有Al组分渐变的AlGaN载流子收集层能有效地改善深紫外LED的空穴注入水平和辐射复合速率，显著增强280纳米深紫外LED器件的内量i子效率，其出光功率相比传统结构的深紫外LED提高了73.3%。